可控硅元件—可控硅元件的结构和型号
一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。
在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。
一、可控硅元件的结构和型号
1、结构
不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。
2、型号
目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种，新型号将逐步取代旧型号。
表1 KP型可控硅新旧标准主要特性参数对照表
| 参数/序号 | 部颁新标准（JB1144-75） | 部颁旧标准（JB1144-71） |
KP型右控硅整流元件 | 3CT系列可控硅整流元件 |
| 1 | 额定通态平均电流（IT（AV）） | 额定正向平均值电流（IF） |
| 2 | 断态重复峰值电压（UDRM） | 正向阻断峰值电压（UPF） |
| 3 | 反向重复峰值电压（URRM） | 反向峰值电压（VPR） |
| 4 | 断态重复平均电流（IDR（AV）） | 正向平均漏电流（I） |
| 5 | 反向重复平均电流（IRR（AV）） | 反向平均漏电电流（IRL） |
| 6 | 通态平均电压（UT（AV）） | 最大正向平均电压降（VF） |
| 7 | 门极触发电流（IGT） | 控制极触发电流（Ig） |
| 8 | 门极触发电压（UGT） | 控制极触发电压（Vg） |
| 9 | 断态电压临界上升率（du/dt） | 极限正向电压上升率(dV/dt） |
| 10 | 维持电流（IH） | 维持电流（IH） |
| 11 | 额定结温（TjM） | 额定工作结温（Tj） |
KP型可控硅的电流电压级别见表2
表2 KP型可控硅电流电压级别
| 额定通态平均 电流IT（AV）（A） | 1，5，10，20，30，50，100，200，300，400，500，600，700，800，100 |
| 正反向重复 峰值电压UDRM， URRM（×100）（V） | 1～10，12，14，16，18，20，22，24，26，，28，30 |
| 通态平均电压 UT(AV)(V) | A | B | C | D | E | F | G | H | I |
≤0.4 | 0.4～0.5 | 0.5～0.6 | 0.6～0.7 | 0.7～0.8 | 0.8～0.9 | 0.9～1.0 | 1.0～1.1 | 1.1～1,2 |
示例：
（1）KP5-10表示通态平均电流5安，正向重复峰值电压1000伏的普通反向阻断型可控硅元件。
（2）KP500-12D表示通态平均电流500安，正、反向重复峰值电压1200伏，通态平均电压0.7伏的业通反向阻断型可控硅元件。
（3）3CT5/600表示通态平均电流5安，正、反向重复峰值电压600伏的旧型号普通可控硅元件。
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